應(yīng)用描述

        隨著移動(dòng)通信的快速發(fā)展，新一代5G通信技術(shù)正向更高的通信速率、更高的效率、更高的可靠性、更低的系統(tǒng)時(shí)延、更大的系統(tǒng)容量以及更大規(guī)模的系統(tǒng)設(shè)備連接發(fā)展，射頻功率放大器作為該系統(tǒng)的關(guān)鍵器件，會(huì)直接影響整個(gè)系統(tǒng)的性能表現(xiàn)。

       華太自2010年就開(kāi)始研究LDMOS工藝，設(shè)計(jì)基于該工藝的射頻功放芯片，創(chuàng)新式、低成本、高性能的大功率射頻產(chǎn)品，可為移動(dòng)通信宏站市場(chǎng)提供解決方案。


Macro RRU

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應(yīng)用痛點(diǎn)

  • 通信宏站要求多頻多模站點(diǎn)極簡(jiǎn)部署，以及多制式共建共享及網(wǎng)絡(luò)演進(jìn)，對(duì)射頻功放大帶寬、低成本和高效率性能都有較高要求；

  • 要求靈活的射頻功放方案，用于有效保護(hù)客戶長(zhǎng)期投資，同時(shí)節(jié)省站點(diǎn)空間，降低無(wú)線站點(diǎn)運(yùn)維成本；

  • 同時(shí)強(qiáng)調(diào)產(chǎn)業(yè)鏈自主可控，無(wú)卡脖子擔(dān)憂。

華太解決方案優(yōu)勢(shì)

  • 產(chǎn)品采用單路和集成Doherty架構(gòu)多種形式；

    01

  • 產(chǎn)品基于自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的28V和 50V LDMOS 工藝平臺(tái)開(kāi)發(fā)，產(chǎn)業(yè)鏈自主可控；

    02

  • 封裝材料自主開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)，具有低成本、高可靠性；

    03

  • 自身的空腔塑封技術(shù)可為產(chǎn)品帶來(lái)更強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)力；

    04

  • GaN產(chǎn)品研發(fā)也在逐步提升，與LDMOS形成互補(bǔ)；

    05

  • 產(chǎn)品覆蓋700M-4.9GHz，平臺(tái)化設(shè)計(jì)。

    06

應(yīng)用成果

  • 完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的LDMOS工藝平臺(tái)；

  • 獲得全球國(guó)際大廠認(rèn)可，LDMOS大功率產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力業(yè)界領(lǐng)先；

  • 市場(chǎng)用量逐年攀升，同時(shí)也正在加大GaN產(chǎn)品的研發(fā)投入。